Nuove scoperte sulla FeRAM

Grazie ad una ricerca coreana, presto sarà possibile costruire la RAM ferroelectrica, chiama anche FeRAM.
Secondo quanto riportato da alcune fonti, il Dott.r Shin Young-han, è riuscito a capire il meccanismo operativo della ferroelectricità, e ha pubblicato il tutto sul giornale scientifico “Nature”.

Nella ferroelectricità, un materiale è dato da una polarizzazione elettrica costante, tramite l’applicazione di un campo elettrico.
La FeRAM è considerato il semi-conduttore per eccellenza, perchè ha le qualità di una DRAM (può immagazzinare grandi volumi di dati), di una SRAM (può elaborare dati ad alta velocità) e di una memoria Flash (conserva i dati anche quando è off).
“FeRAM che è simile alla DRAM, usa nella sua struttura, la ferroelectricità per immagazzinare una carica elettrica” – disse il Dott.r Shin. “Ho scoperto questo metodo, e il fatto che consuma molto meno energia, rispetto agli altri tipi elettrici, analizzando il processo di dati che sono scritti e cancellati all’interno della ferroelectricità.”
Sicuramente una scoperta che aiuterà lo sviluppo dell’attesa FeRAM, la quale può immagazzinare dati 10 volte più veloce di una memory flash, e per oltre 10 anni.